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PDTC114ES,126

更新时间： 2024-02-20 23:31:07

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	92K
描述
PDTC114ES

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PDTC114ES,126 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PDTC114ES,126 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ

PDTC144E series

Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm

SOT883

0.5

1 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

(1)

UNIT

max.

0.50

0.46

0.20 0.55 0.62 1.02

0.12 0.47 0.55 0.95

0.30 0.30

0.22 0.22

0.03

0.35 0.65

Note

1. Including plating thickness

REFERENCES

JEDEC

OUTLINE

VERSION

EUROPEAN

PROJECTION

ISSUE DATE

IEC

JEITA

03-02-05

03-04-03

SOT883

SC-101

2004 Aug 17

1...6 7 8910 11 12...14

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与PDTC114ES,126相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDTC114ESAMO	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P	获取价格
PDTC114ET	NXP	NPN resistor-equipped transistor	获取价格
PDTC114ET	NEXPERIA	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor	获取价格
PDTC114ET,215	NXP	PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans	获取价格
PDTC114ET,235	NXP	PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans	获取价格
PDTC114ET/T1	ETC	TRANSISTOR DIGITAL SOT-233	获取价格