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PDTC114ES,126

更新时间: 2024-01-19 12:11:53
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 92K
描述
PDTC114ES

PDTC114ES,126 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTC114ES,126 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 47 k, R2 = 47 kΩ  
PDTC144E series  
PACKAGE OUTLINES  
Plastic surface mounted package; 3 leads  
SOT416  
D
B
E
A
X
H
v
M
A
E
3
Q
A
A
1
1
2
c
e
1
b
p
w
M
B
L
p
e
detail X  
0
0.5  
1 mm  
scale  
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)  
A
1
A
UNIT  
b
c
D
E
e
e
H
L
p
Q
v
w
p
1
E
max  
0.30  
0.15  
0.25  
0.10  
1.8  
1.4  
0.9  
0.7  
1.75  
1.45  
0.45  
0.15  
0.23  
0.13  
0.95  
0.60  
mm  
0.1  
1
0.5  
0.2  
0.2  
REFERENCES  
JEDEC  
EUROPEAN  
PROJECTION  
OUTLINE  
VERSION  
ISSUE DATE  
IEC  
EIAJ  
97-02-28  
SOT416  
SC-75  
2004 Aug 17  
6

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDTC114ESAMO NXP TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P

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