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PDTC114ET-TAPE-13

更新时间: 2024-11-28 20:07:47
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
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2页 51K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

PDTC114ET-TAPE-13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.23
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:3.5 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

PDTC114ET-TAPE-13 数据手册

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