5秒后页面跳转
PDTC114TEF PDF预览

PDTC114TEF

更新时间: 2024-01-18 04:57:44
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 90K
描述
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open

PDTC114TEF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-70包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.1Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PDTC114TEF 数据手册

 浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PDTC114TEF的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTA114T series  
PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 10 k, R2 = open  
Product specification  
2004 Aug 02  
Supersedes data of 2003 Sep 09  

与PDTC114TEF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDTC114TEF,115 NXP TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89

获取价格

PDTC114TE-T NXP 100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN

获取价格

PDTC114TK NXP NPN resistor-equipped transistor

获取价格

PDTC114TK,115 NXP PDTC114T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open SMT 3-Pin

获取价格

PDTC114TK-T NXP TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

获取价格

PDTC114TM NXP PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open

获取价格