PDTC114TEF

更新时间： 2024-01-14 04:48:02

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	90K
描述
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open

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PDTC114TEF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTC114TEF 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 10 kΩ, R2 = open

PDTA114T series

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

V_CB= −50 V; I_E= 0

MIN.

TYP. MAX. UNIT

collector-base cut-off current

collector-emitter cut-off current

−

−100

−1

µA

I_CEO

V_CE= −30 V; I_B= 0

−

V_CE= −30 V; I_B= 0; T_j= 150 °C

V_EB= −5 V; I_C= 0

−

−50

−100

−

I_EBO

h_FE

emitter-base cut-off current

DC current gain

−

V_CE= −5 V; I_C= −1 mA

200

−

V_CEsat

collector-emitter saturation voltage I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

−

−150

kΩ

input resistor

−

C_c

collector capacitance

I_E= i_e= 0; V_CB= −10 V; f = 1 MHz

−

2004 Aug 02

1 2 3 456 7 8...14

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与PDTC114TEF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC114TEF,115	NXP	获取价格	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89
PDTC114TE-T	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN
PDTC114TK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor
PDTC114TK,115	NXP	获取价格	PDTC114T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open SMT 3-Pin
PDTC114TK-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
PDTC114TM	NXP	获取价格	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
PDTC114TM	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = openProduction
PDTC114TM,315	NXP	获取价格	PDTC114T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open DFN 3-Pin
PDTC114TMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC114TMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ,