PDTC114TEF

更新时间： 2024-01-05 23:45:38

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	90K
描述
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC114TEF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTC114TEF 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 10 kΩ, R2 = open

PDTA114T series

Plastic surface mounted package; 3 leads

SOT346

w M

detail X

2 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT

1.3

1.0

0.1

0.013

0.50

0.35

0.26

0.10

3.1

2.7

1.7

1.3

3.0

2.5

0.6

0.2

0.33

0.23

1.9

0.95

0.2

REFERENCES

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

JEDEC

EIAJ

98-07-17

SOT346

TO-236

SC-59

2004 Aug 02

1...4 5 678 9 10...14

下载PDF

与PDTC114TEF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDTC114TEF,115	NXP	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89	获取价格
PDTC114TE-T	NXP	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN	获取价格
PDTC114TK	NXP	NPN resistor-equipped transistor	获取价格
PDTC114TK,115	NXP	PDTC114T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open SMT 3-Pin	获取价格
PDTC114TK-T	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
PDTC114TM	NXP	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open	获取价格