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PDTC114ET

更新时间： 2024-02-27 23:15:56

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	235K
描述
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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PDTC114ET 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.57	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

PDTC114ET 数据手册

PDTC114ET

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor;

R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

1 July 2022

Product data sheet

1. General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

PNP complement: PDTA114ET

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

3. Applications

•

Digital application in automotive and industrial segments

Cost-saving alternative for BC847 series in digital applications

Controlling IC inputs

Switching loads

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

[1]

R2/R1

0.8

1.2

[1] See "Section 11: Test information" for resistor calculation and test conditions.

12 3 4 5 6 7...13

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