Datasheet > PDTC114ES,126

PDTC114ES,126

更新时间： 2024-02-17 08:47:33

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	92K
描述
PDTC114ES

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC114ES,126 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PDTC114ES,126 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ

PDTC144E series

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

in free air

VALUE

UNIT

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient

SOT54

note 1

250

500

625

833

500

K/W

SOT23

note 1

SOT346

SOT323

SOT416

SOT490

SOT883

note 1

notes 1 and 2

notes 2 and 3

Notes

1. Refer to standard mounting conditions.

2. Reflow soldering is the only recommended soldering method.

3. Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60 µm copper strip line.

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

V_CB= 50 V; I_E= 0 A

MIN.

TYP. MAX. UNIT

I_CBO

I_CEO

collector-base cut-off current

collector-emitter cut-off current

−

100

µA

V_CE= 30 V; I_B= 0 A

−

V_CE= 30 V; I_B= 0 A; T_j= 150 °C

V_EB= 5 V; I_C= 0 A

−

I_EBO

h_FE

emitter-base cut-off current

DC current gain

−

V_CE= 5 V; I_C= 5 mA

−

V_CEsat

V_i(off)

V_i(on)

collector-emitter saturation voltage I_C= 10 mA; I_B= 0.5 mA

−

150

0.8

−

input-off voltage

input-on voltage

input resistor

I_C= 100 µA; V_CE= 5 V

−

1.2

1.6

I_C= 2 mA; V_CE= 0.3 V

kΩ

-------

resistor ratio

0.8

1.2

2.5

C_c

collector capacitance

I_E= i_e= 0 A; V_CB= 10 V;

f = 1 MHz

−

2004 Aug 17

1 2 3 456 7 8...14

下载PDF

与PDTC114ES,126相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDTC114ESAMO	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P	获取价格
PDTC114ET	NXP	NPN resistor-equipped transistor	获取价格
PDTC114ET	NEXPERIA	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor	获取价格
PDTC114ET,215	NXP	PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans	获取价格
PDTC114ET,235	NXP	PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans	获取价格
PDTC114ET/T1	ETC	TRANSISTOR DIGITAL SOT-233	获取价格