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PDM4M4110S15M

更新时间： 2024-02-24 13:33:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 215K
描述
SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, SIMM-72

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PDM4M4110S15M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：,针数：72
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
Base Number Matches：1

PDM4M4110S15M 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M4110  
(1)  
Timing Waveforms of Read Cycle No.1  
t
RC  
1
2
ADDRESS  
t
AA  
OE  
CS  
t
t
OH  
(5)  
OE  
(5)  
t
OLZ  
3
t
t
OHZ  
ACS  
(5)  
(5)  
t
t
CHZ  
CLZ  
D
OUT  
4
5
(1,2,4)  
Timing Waveforms of Read Cycle No.2  
t
RC  
6
ADDRESS  
t
AA  
t
t
OH  
OH  
7
D
OUT  
Previous Data Valid  
Data Valid  
(1,3,4)  
Timing Waveforms of Read Cycle No.3  
9
CS  
t
ACS  
10  
11  
12  
(5)  
(5)  
t
t
CLZ  
CLZ  
D
OUT  
NOTES 1 WE is HIGH for Read Cycle.  
2. Device is continuously selected. CS = V .  
IL  
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.  
4. OE = V .  
5. Transition is measured ±200 mV for steady state. This parameter is  
IL  
determined by device characteristics but is not production tested.  
Rev 2.3
1...45678910

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