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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | 最大集电极电流 (IC)： | 7.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 115 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4032ND | NXP |
获取价格 |
30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4032ND | NEXPERIA |
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30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4032NT | NXP |
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30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4032NT | NEXPERIA |
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30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4032NT,215 | NXP |
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PBSS4032NT - 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS4032NX | NEXPERIA |
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30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4032NX,115 | NXP |
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PBSS4032NX - 30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| PBSS4032NX-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 4.7 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS4032NZ | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4032PD | NXP |
获取价格 |
30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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