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PBSS4032NZ

更新时间： 2024-11-28 11:13:39

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安世 - NEXPERIA		/
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15页	732K
描述
30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS4032NZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.21	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PBSS4032NZ 数据手册

PBSS4032NZ

30 V, 4.9 A NPN low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 01 — 31 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power

SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS4032PZ.

1.2 Features and benefits

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

Optimized switching time

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain (h_FE) at high I_C

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

DC-to-DC conversion

Battery-driven devices

Power management

Charging circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage open base

collector current

4.9

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

[1]

R_CEsat

collector-emitter

I_C= 4 A;

62.5

mΩ

saturation resistance

I_B= 400 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

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PBSS4032NZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PBHV9215Z	NXP	功能相似	2000mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN

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