PBSS4032PT

更新时间： 2024-11-27 10:17:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	173K
描述
30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PBSS4032PT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2.4 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS4032PT 数据手册

PBSS4032PT

30 V, 2.4 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 01 — 18 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB)

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4032NT.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

Optimized switching time

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain (h_FE) at high I_C

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

DC-to-DC conversion

Battery-driven devices

Power management

Charging circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−30

−2.4

−5

Unit

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

[1]

R_CEsat

collector-emitter

I_C= −2 A;

110

165

mΩ

saturation resistance

I_B= −200 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

PBSS4032PT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PBSS4041PT	NXP	类似代替	60 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4041NT	NEXPERIA	功能相似	60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4032PT,215	NXP	功能相似	PBSS4032PT - 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin

与PBSS4032PT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS4032PT,215	NXP	获取价格	PBSS4032PT - 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin
PBSS4032PT_15	NXP	获取价格	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4032PT-215	NXP	获取价格	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4032PX	NEXPERIA	获取价格	30 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4032PX-Q	NEXPERIA	获取价格	30 V, 4.2 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS4032PZ	NXP	获取价格	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4032PZ	NEXPERIA	获取价格	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4032PZ_15	NXP	获取价格	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4032SN	NXP	获取价格	30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4032SN,115	NXP	获取价格	PBSS4032SN - 30 V, 5.7 A NPN/NPN low V_CEsat (BISS) transistor SOIC 8-Pin

与PBSS4032PT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PBSS4032PT

PBSS4032PT 技术参数

PBSS4032PT 数据手册

PBSS4032PT 替代型号

与PBSS4032PT相关器件

与PBSS4032PT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PBSS4032PT

PBSS4032PT 技术参数

PBSS4032PT 数据手册

PBSS4032PT 替代型号

与PBSS4032PT相关器件

与PBSS4032PT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？