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NVTJD4001NT1G

更新时间： 2024-11-06 01:16:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
Small Signal MOSFET

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NVTJD4001NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：1.61配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.25 A
最大漏极电流 (ID)：0.25 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：12 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.272 W参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NVTJD4001NT1G 数据手册

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NTJD4001N, NVTJD4001N  
Small Signal MOSFET  
30 V, 250 mA, Dual N−Channel, SC−88  
Features  
• Low Gate Charge for Fast Switching  
• Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6  
• ESD Protected Gate  
www.onsemi.com  
V
R
TYP  
I Max  
D
• AEC Q101 Qualified − NVTJD4001N  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
(BR)DSS  
DS(on)  
1.0 W @ 4.0 V  
1.5 W @ 2.5 V  
250 mA  
30 V  
Applications  
• Low Side Load Switch  
• Li−Ion Battery Supplied Devices − Cell Phones, PDAs, DSC  
• Buck Converters  
• Level Shifts  
SOT−363  
SC−88 (6 LEADS)  
S
1
G
1
D
2
1
6
5
4
D
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
2
3
G
S
2
V
DSS  
30  
20  
V
V
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25 °C  
I
D
250  
180  
272  
mA  
A
2
State  
T = 85 °C  
A
Top View  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25 °C  
P
D
mW  
A
State  
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
D1 G2 S2  
Pulsed Drain Current  
t =10 ms  
I
600  
mA  
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
6
Source Current (Body Diode)  
I
250  
260  
mA  
1
S
TE M G  
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 26  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
G
L
1
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
S1 G1 D2  
Parameter  
Symbol  
Value  
458  
Unit  
TE  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Junction−to−Ambient − Steady State  
Junction−to−Lead − Steady State  
R
°C/W  
q
JA  
R
252  
q
JL  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
1. Surface mounted on FR4 board using min pad size  
(Cu area = 0.155 in sq [1 oz] including traces).  
†
Device  
NTJD4001NT1G  
Package  
Shipping  
SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
NVTJD4001NT1G SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
May, 2015 − Rev. 7  
NTJD4001N/D  
 
12345

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NVTJD4001NT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVTJD4001NT2G ONSEMI

完全替代

 双 N 沟道，小信号 MOSFET，30V，250mA，1.5Ω
NTJD4001NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET

与NVTJD4001NT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTJD4001NT2G ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，小信号 MOSFET，30V，250mA，1.5Ω
NVTR01P02L TYSEMI

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 		Power MOSFET −20 V, −1.3 A, P−Channel S
NVTR01P02LT1G TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −20 V, −1.3 A, P−Channel S
NVTR01P02LT1G ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-1.3A，220mΩ
NVTR0202PL ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel
NVTR0202PLT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel
NVTR1P02LT1G ONSEMI

获取价格

 		1300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MINI
NVTR4502P ONSEMI

获取价格

 		−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOTâ
NVTR4502P TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NVTR4502PT1G TYSEMI

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 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits

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