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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G PDF预览

NVTR4502PT1G

更新时间： 2024-11-25 12:25:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23

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NVTR4502PT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.47Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1058110
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：BAS21LT1G-1
Samacsys Released Date：2019-12-10 04:55:44Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.13 A最大漏极电流 (ID)：1.13 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVTR4502PT1G 数据手册

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NTR4502P, NVTR4502P  
Power MOSFET  
−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel,  
SOT−23  
Features  
http://onsemi.com  
• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching  
V
R
TYP  
I
D
Max (Note 1)  
−1.95 A  
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low R  
for Low Conduction Losses  
DS(ON)  
155 mW @ −10 V  
240 mW @ −4.5 V  
• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)  
• AEC Q101 Qualified − NVTR4502P  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
−30 V  
P−Channel MOSFET  
Applications  
• DC to DC Conversion  
S
• Load/Power Switch for Portables and Computing  
• Motherboard, Notebooks, Camcorders, Digital Camera’s, etc.  
• Battery Charging Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
−30  
20  
V
V
A
DSS  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Drain  
3
Drain Current (Note 1)  
t < 10 s T = 25°C  
I
D
−1.95  
−1.56  
1.25  
A
T = 70°C  
A
TR2 M G  
Power Dissipation  
(Note 1)  
t < 10 s  
P
W
A
D
G
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
2
1
Gate  
Continuous Drain Current Steady T = 25°C  
I
D
−1.13  
−0.90  
0.4  
Source  
A
(Note 1)  
State  
Steady State  
t = 10 ms  
T = 70°C  
A
TR2 = Device Code  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
D
Pulsed Drain Current  
I
−6.8  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
p
DM  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
I
−1.25  
A
S
ORDERING INFORMATION  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8 in from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Device  
Package  
Shipping†  
NTR4502PT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
300  
100  
Unit  
NVTR4502PT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t = 10 s (Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
R
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq. pad size  
(Cu area = 1.127 in sq. [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
August, 2011 − Rev. 5  
NTR4502P/D  
 
12345

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NVTR4502PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY

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