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NVTR0202PLT1G

更新时间： 2024-11-25 12:36:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 127K
描述
Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package

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NVTR0202PLT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.51
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTR0202PLT1G 数据手册

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NTR0202PL, NVTR0202PL  
Power MOSFET  
−20 V, −400 mA, P−Channel  
SOT−23 Package  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
DS(on)  
R
R
= 0.80 W, V = −10 V  
DSon  
GS  
V
R
Typ  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
= 1.10 W, V = −4.5 V  
DSon  
GS  
−20 V  
550 mW @ −10 V  
−400 mA  
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVTR0202PL  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
P−Channel  
D
Applications  
• DC−DC Converters  
• Computers  
G
• Printers  
• PCMCIA Cards  
• Cellular and Cordless Telephones  
S
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
−20  
Unit  
V
Drain  
3
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
$20  
V
GS  
PL M G  
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
I
−0.4  
−1.0  
A
G
A
D
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Pulsed Drain Current (t ≤ 10 ms)  
I
p
DM  
1
Gate  
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
225  
mW  
A
D
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
− 55 to  
°C  
J
stg  
150  
PL  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
R
556  
0.4  
°C/W  
A
q
JA  
(Note: Microdot may be in either location)  
Source Current (Body Diode)  
I
S
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
°C  
Purposes, 1/8″ from case for 10 s  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTR0202PLT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
NTR0202PLT3G  
NVTR0202PLT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10000 / Tape &  
Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 5  
NTR0202PL/D  
 
12345

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与NVTR0202PLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTR1P02LT1G ONSEMI

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 		1300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MINI
NVTR4502P ONSEMI

获取价格

 		−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOTâ
NVTR4502P TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NVTR4502PT1G TYSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Battery Charging Circuits
NVTR4502PT1G ONSEMI

获取价格

 		−30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOTâ
NVTR4503N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVTR4503NT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVTYS002N03CLTWG ONSEMI

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 		MOSFET – Power, Single, N-Channel
NVTYS003N03CLTWG ONSEMI

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 		MOSFET – Power, Single, N-Channel
NVTYS003N04CLTWG ONSEMI

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 		MOSFET – Power, Single, N-Channel

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