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NTVB200SB-L

更新时间： 2024-11-14 17:45:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
Silicon Surge Protector, 320 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, LEAD FREE, CASE 403C-01, SMB, 2 PIN

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NTVB200SB-L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：LEAD FREE, CASE 403C-01, SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.83
最大转折电压：320 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：1

NTVB200SB-L 数据手册

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NTVB Series  
Thyristor Surge Protectors  
High Voltage Bidirectional  
NTVB Series Thyristor Surge Protector Devices (TSPD) protect  
telecommunication circuits such as central office, access, and  
customer premises equipment from overvoltage conditions. These are  
bidirectional devices so they are able to have functionality of 2 devices  
in one package, saving valuable space on board layout.  
These devices will act as a crowbar when overvoltage occurs and will  
divert the energy away from circuit or device that is being protected.  
Use of the NTVB Series in equipment will help meet various  
regulatory requirements including: GR−1089−CORE, IEC  
61000−4−5, ITU K.20/21/45, IEC 60950, TIA−968−A, FCC Part 68,  
EN 60950, UL 1950.  
http://onsemi.com  
BIDIRECTIONAL SURFACE  
MOUNT THYRISTOR  
64 − 350 VOLTS  
MT1  
MT2  
ELECTRICAL PARAMETERS  
V
DRM  
V
(BO)  
V
T
I
I
I
T
I
H
DRM  
(BO)  
V
V
V
mA  
mA  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
A
mA  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
Device  
NTVB058NSx−L  
NTVB065NSx−L  
NTVB090NSx−L  
NTVB170Sx−L  
NTVB170NSx−L  
NTVB180Sx−L  
NTVB200Sx−L  
NTVB220NSx−L  
NTVB270Sx−L  
NTVB275NSx−L  
NTVB300Sx−L  
58  
65  
90  
77  
88  
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
SMB  
JEDEC DO−214AA  
CASE 403C  
130  
265  
220  
240  
320  
300  
365  
350  
400  
170  
170  
170  
200  
220  
270  
275  
300  
MARKING DIAGRAM  
AYWW  
XXXXG  
G
XXXX = Specific Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
SURGE DATA RATINGS  
Waveform  
x = series ratings  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 4 of  
this data sheet.  
Voltage  
Current  
ms  
ms  
A
150  
90  
75  
50  
75  
50  
B
C
Specification  
GR−1089−CORE  
TIA−968−A  
Unit  
2x10  
2x10  
10x160  
10x360  
10x560  
5x310  
250  
150  
125  
100  
100  
80  
500  
200  
175  
150  
200  
100  
A(pk)  
10x160  
10x360  
10x560  
10x700  
10x1000  
GR−1089−CORE  
TIA−968−A  
ITU−T K.20/21  
GR−1089−CORE  
10x1000  
*
Recognized Components  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 0  
NTVB058NS/D  
12345

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与NTVB200SB-L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTVB200SC-L ONSEMI

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 		Silicon Surge Protector, 320 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, LEAD FREE, CASE 403C-01
NTVB220NSC-L ONSEMI

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 		Silicon Surge Protector, 300 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, LEAD FREE, CASE 403C-01
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 		Silicon Surge Protector, 365 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, LEAD FREE, CASE 403C-01
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NTVB300SC-L ONSEMI

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 		Silicon Surge Protector, 400 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA, LEAD FREE, CASE 403C-01
NTVD3144NZT2G ONSEMI

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 		2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2.40 X 1.60 MM, 0.65 MM HEIGHT, HALOGEN AN

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