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NTQD4154ZR2G PDF预览

NTQD4154ZR2G

更新时间： 2024-11-24 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
7.5A, 20V, 0.019ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8

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NTQD4154ZR2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTQD4154ZR2G 数据手册

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NTQD4154Z  
Power MOSFET  
20 V, 7.5 A, Common−Drain,  
Dual N−Channel TSSOP−8  
Features  
http://onsemi.com  
• Common Drain for Ease of Circuit Connection  
V
R
Typ  
I Max  
D
• Low R  
Extending Battery Life  
(BR)DSS  
DS(on)  
DS(on)  
• ESD Protected Gate  
• Pb−Free Package is Available  
15 mW @ 4.5 V  
21 mW @ 2.5 V  
20 V  
7.5 A  
Applications  
• Li−Ion Battery Protection Circuit  
• Power Management in Portable and Battery−Powered Products  
N−Channel  
N−Channel  
D
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
250 W  
250 W  
V
DSS  
20  
12  
V
V
A
G1  
G2  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
S1  
S2  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
D
7.5  
5.8  
1.52  
A
T = 75°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
D
W
A
A
D
D D D  
8
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
t ≤ 10 s T = 25°C  
I
D
9.8  
7.6  
2.6  
A
T = 75°C  
A
54Z  
YWW  
A G  
1
Power Dissipation  
(Note 2)  
t ≤ 10 s T = 25°C  
P
D
W
A
TSSOP−8  
CASE 948S  
PLASTIC  
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
30  
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
S1  
G1 S2 G2  
T
STG  
54Z  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
2.2  
A
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
82  
Units  
†
Device  
NTQD4154ZR2  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Ambient − t ≤ 10 s  
R
°C/W  
q
JA  
R
48  
TSSOP−8  
4000 / Tape & Reel  
4000 / Tape & Reel  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Mounted onto a 2″ square FR−4 board  
NTQD4154ZR2G TSSOP−8  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(1 in sq, 2 oz. cu. 0.06″ thick single−sided), steady state.  
2. Mounted onto a 2″ square FR−4 board  
(1 in sq, 2 oz. cu. 0.06″ thick single−sided), t ≤ 10 s.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
NTQD4154Z/D  
123456

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与NTQD4154ZR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTQD6866 ONSEMI

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 		4700mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8
NTQD6866/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET 5.8 Amps， 20 Volts
NTQD6866R2 ONSEMI

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 		Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts
NTQD6866R2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts N-Channel TSSOP-8
NTQD6866T1 ONSEMI

获取价格

 		4300mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8
NTQD6968 ONSEMI

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 		Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts
NTQD6968N ONSEMI

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 		Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N−Channel, TSSOP−8
NTQD6968N ROCHESTER

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 		6.2A, 20V, 0.03ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-
NTQD6968NR2 ONSEMI

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