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NTQD6968N PDF预览

NTQD6968N

更新时间： 2024-11-24 03:40:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 75K
描述
Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N−Channel, TSSOP−8

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NTQD6968N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.27其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTQD6968N 数据手册

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NTQD6968N  
Power MOSFET  
7.0 A, 20 V, Common Drain,  
Dual N−Channel, TSSOP−8  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• 3 mm Wide TSSOP−8 Surface Mount Package  
• High Speed, Soft Recovery Diode  
• TSSOP−8 Mounting Information Provided  
20 V  
17 mW @ 4.5 V  
7.0 A  
N−Channel  
N−Channel  
Applications  
D
D
• Battery Protection Circuits  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current − Continuous @ T 25°C (Note 1)  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
DSS  
20  
G1  
G2  
V
GS  
"12  
S1  
1
S2  
I
I
7.0  
5.6  
20  
A
D
D
Drain Current − Continuous @ T 70°C (Note 1)  
A
TSSOP−8  
CASE 948S  
PLASTIC  
I
DM  
8
Drain Current − Pulsed (Note 3)  
Total Power Dissipation @ T 25°C (Note 1)  
P
D
1.81  
W
A
Drain Current − Continuous @ T 25°C (Note 2)  
I
I
6.2  
4.9  
18  
Adc  
A
D
D
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Drain Current − Continuous @ T 70°C (Note 2)  
A
I
DM  
Drain Current − Pulsed (Note 3)  
Total Power Dissipation @ T 25°C (Note 2)  
P
1.39  
W
A
D
1
D
S1  
S1  
8
7
6
5
D
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
°C  
E68  
YWW  
N
stg  
S2  
S2  
G2  
2
3
Thermal Resistance −  
R
°C/W  
°C  
q
JA  
G1  
4
69  
90  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Top View  
E68  
Y
= Device Code  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering Pur-  
poses for 10 seconds  
TL  
260  
WW  
N
= Work Week  
= MOSFET  
1. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board (1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″ thick single  
sided), t ≤ 10 sec.  
2. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board (1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″ thick single  
sided), Steady State.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTQD6968NR2  
Package  
Shipping  
TSSOP−8 4000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
December, 2003 − Rev. 1  
NTQD6968N/D  
 
12345678

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NTQD6968N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTQD6968NR2G ONSEMI

完全替代

 功率 MOSFET 20V 7A 22 mΩ 双 N 沟道，TSSOP8
NTQD6968NR2 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N−Channel, TSSOP−8
NTQD6968R2 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTQD6968NR2 ONSEMI

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NTQD6968NR2 ROCHESTER

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NTQD6968NR2G ROCHESTER

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 		6.2A, 20V, 0.03ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S
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