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NTQD6968NR2G PDF预览

NTQD6968NR2G

更新时间： 2024-11-25 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 162K
描述
功率 MOSFET 20V 7A 22 mΩ 双 N 沟道，TSSOP8

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NTQD6968NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TSSOP包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTQD6968NR2G 数据手册

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NTQD6968N  
Power MOSFET  
7.0 A, 20 V, Common Drain,  
Dual N−Channel, TSSOP−8  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
20 V  
17 mW @ 4.5 V  
7.0 A  
• 3 mm Wide TSSOP−8 Surface Mount Package  
• High Speed, Soft Recovery Diode  
• TSSOP−8 Mounting Information Provided  
• Pb−Free Package is Available  
N−Channel  
N−Channel  
D
D
Applications  
• Battery Protection Circuits  
G1  
G2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
S1  
S2  
V
DSS  
20  
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
V
GS  
"12  
D S2 S2 G2  
− Continuous @ T 25°C (Note 1)  
I
7.0  
5.6  
20  
A
D
8
− Continuous @ T 70°C (Note 1)  
I
D
A
− Pulsed (Note 3)  
I
DM  
E68  
YWW  
A G  
1
Total Power Dissipation @ T 25°C (Note 1)  
P
I
1.81  
W
A
D
TSSOP−8  
CASE 948S  
PLASTIC  
Drain Current  
Adc  
− Continuous @ T 25°C (Note 2)  
6.2  
4.9  
18  
A
D
− Continuous @ T 70°C (Note 2)  
I
D
A
1
− Pulsed (Note 3)  
I
DM  
D
S1 S1 G1  
Total Power Dissipation @ T 25°C (Note 2)  
P
D
1.39  
W
A
E68 = Specific Device Code  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
J
stg  
WW = Work Week  
Thermal Resistance −  
R
°C/W  
°C  
q
JA  
G
= Pb−Free Package  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
69  
90  
Maximum Lead Temperature for Soldering Pur-  
poses for 10 seconds  
TL  
260  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTQD6968N  
TSSOP−8  
100 Units / Rail  
NTQD6968NR2  
TSSOP−8 4000/Tape & Reel  
(1 in sq, 2 oz. Cu 0.06″ thick single sided), t ≤ 10 sec.  
2. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board  
(1 in sq, 2 oz. Cu 0.06″ thick single sided), Steady State.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.  
NTQD6968NR2G TSSOP−8 4000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 3  
NTQD6968N/D  
 
12345678

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NTQD6968NR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTQD6968NR2 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N−Channel, TSSOP−8
NTQD6968N ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 7.0 A, 20 V, Common Drain, Dual N−Channel, TSSOP−8
NTQD6968R2 ONSEMI

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NTR0202PL/D ETC

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