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NTQS6463

更新时间： 2024-11-26 22:28:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
Power MOSFET

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NTQS6463 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.67 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTQS6463 数据手册

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NTQS6463  
Power MOSFET  
−20 V, −6.8 A, P−Channel TSSOP−8  
Features  
• New Low Profile TSSOP−8 Package  
• Ultra Low R  
DS(on)  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
http://onsemi.com  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Avalanche Energy Specified  
V
R
TYP  
I MAX  
D
DSS  
DS(on)  
−20 V  
20 mW @ −10 V  
−6.8 A  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperatures  
DSS  
DS(on)  
Applications  
• Power Management in Portable and Battery−Powered Products, i.e.:  
Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless  
Telephones  
P−Channel  
D
• Lithium Ion Battery Applications  
• Note Book PC  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
V
Value  
Unit  
S
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
−20  
V
V
A
DSS  
V
GS  
"12  
MARKING  
DIAGRAM  
− Continuous @ T = 25°C  
I
−5.5  
−4.4  
"30  
A
D
− Continuous @ T = 70°C  
I
D
A
8
TSSOP−8  
CASE 948S  
PLASTIC  
463  
YWW  
N
− Pulsed (Note 3)  
I
DM  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
0.93  
W
A
D
@ T = 25°C  
1
A
Drain Current (Note 2)  
463  
= Device Code  
= Year  
= Work Week  
= MOSFET  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
−6.8  
−5.4  
"30  
A
D
Y
− Continuous @ T = 70°C  
A
D
WW  
N
− Pulsed (Note 3)  
I
DM  
Total Power Dissipation (Note 2)  
P
1.39  
W
°C  
mJ  
D
@ T = 25°C  
A
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
PIN ASSIGNMENT  
J
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
845  
1
D
S
S
8
7
6
5
D
S
S
D
Energy − Starting T = 25°C  
J
2
3
(V = 40 V, I = 18.4 A,  
DD  
L
L = 5.0 mH, R = 25 W)  
G
G
4
Thermal Resistance −  
R
°C/W  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
134  
90  
Top View  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
100 Units/Rail  
NTQS6463  
TSSOP−8  
1. Minimum 3″ X 3″ FR−4 board, steady state.  
2. Mounted on 1″ square (1 oz.) board, steady state.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.  
NTQS6463R2  
TSSOP−8 3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 2  
NTQS6463/D  
 
123456

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NTQS6463 替代型号

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