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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTQD6968NR2G | ROCHESTER |
获取价格 |
6.2A, 20V, 0.03ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S |
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| NTQD6968NR2G | ONSEMI |
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功率 MOSFET 20V 7A 22 mΩ 双 N 沟道，TSSOP8 |
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| NTQD6968R2 | ONSEMI |
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Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts |
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| NTQS6463 | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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| NTQS6463/D | ETC |
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Power MOSFET 6.2 Amps， 20 Volts |
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| NTQS6463R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| NTQS6466 | ONSEMI |
获取价格 |
6.8A, 20V, 0.017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8 |
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| NTQS6466/D | ETC |
获取价格 |
Power MOSFET 6.8 Amps， 20 Volts |
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| NTQS6466R2 | ONSEMI |
获取价格 |
6.8A, 20V, 0.017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8 |
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| NTR0202PL | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package |
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