是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTQD6968R2 | ONSEMI |
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Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts | |
NTQS6463 | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTQS6463/D | ETC |
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Power MOSFET 6.2 Amps, 20 Volts | |
NTQS6463R2 | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTQS6466 | ONSEMI |
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6.8A, 20V, 0.017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8 | |
NTQS6466/D | ETC |
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Power MOSFET 6.8 Amps, 20 Volts | |
NTQS6466R2 | ONSEMI |
获取价格 |
6.8A, 20V, 0.017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TSSOP-8 | |
NTR0202PL | ONSEMI |
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Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package | |
NTR0202PL/D | ETC |
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Power MOSFET 400 mA 20 V P-Channel SOT-23 | |
NTR0202PL_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package |