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NTMS3P03R2G

更新时间： 2024-11-09 03:45:51

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安森美 - ONSEMI		/
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7页	148K
描述
Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

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NTMS3P03R2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.29	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.86 A	最大漏极电流 (ID)：	2.34 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	135 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.73 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTMS3P03R2G 数据手册

NTMS3P03R2

Power MOSFET

−3.05 Amps, −30 Volts

P−Channel SOIC−8

http://onsemi.com

Features

• High Efficiency Components in a Single SOIC−8 Package

−3.05 AMPERES

−30 VOLTS

0.085 W @ V_GS= −10 V

• High Density Power MOSFET with Low R

DS(on)

• Miniature SOIC−8 Surface Mount Package − Saves Board Space

• Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery

• I

Specified at Elevated Temperature

• Avalanche Energy Specified

P−Channel

DSS

• Mounting Information for the SOIC−8 Package is Provided

• Pb−Free Package is Available

Applications

• DC−DC Converters

• Low Voltage Motor Control

• Power Management in Portable and Battery−Powered Products,

i.e.: Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular & Cordless

Telephones

MARKING DIAGRAM &

PIN ASSIGNMENT

E3P03

AYWW G

SOIC−8

CASE 751

STYLE 13

NC S

E3P03 = Specific Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

NTMS3P03R2

NTMS3P03R2G

SOIC−8

2500/Tape & Reel

SOIC−8

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

March, 2006 − Rev. 2

NTMS3P03R2/D

12 3 4 5 6 7

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NTMS3P03R2G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTMS3P03R2	ONSEMI	完全替代	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

与NTMS3P03R2G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTMS4101PR2	ONSEMI	获取价格	6.9A, 20V, 0.019ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 751-07, SOIC-8
NTMS4107N	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 18 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4107NR2	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30 V, 18 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4107NR2G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30V 18A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8
NTMS4117NR2	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 13300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SO-8, FET Gen
NTMS4117NR2G	ONSEMI	获取价格	13300mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 751-07, SO-8
NTMS4118NR2	ONSEMI	获取价格	9000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SOP-8
NTMS4118NR2G	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 9000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 751-07, SOP
NTMS4176P	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8
NTMS4176PR2G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

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