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NTMS4503NR2G

更新时间： 2024-11-19 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 156K
描述
功率 MOSFET，28V，14A，7mΩ，单 N 沟道，SO-8

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NTMS4503NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：28 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMS4503NR2G 数据手册

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NTMS4503N  
Power MOSFET  
28 V, 14 A, N−Channel, SOIC−8  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Power and Current Handling Capability  
• Low Gate Charge  
I
Max  
D
• Pb−Free Package is Available  
V
R
DS(on)  
Typ  
(BR)DSS  
(Note 1)  
Applications  
7.0 mW @ 10 V  
8.8 mW @ 4.5 V  
28 V  
14 A  
• DC/DC Converters  
• Motor Drives  
• Synchronous Rectifier − POL  
• Buck Low−Side  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
G
V
28  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
V
$20  
GS  
S
I
D
Continuous @ T = 25°C (Note 1)  
14  
12  
9.0  
40  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Continuous @ T = 25°C (Note 2)  
A
Continuous @ T = 25°C (Note 3)  
A
Single Pulse (tp = 10 ms)  
I
DM  
D
D
D
D
8
8
Total Power Dissipation  
P
W
D
T = 25°C (Note 1)  
A
T = 25°C (Note 3)  
A
2.5  
1.66  
0.93  
A
1
4503N  
AYWW G  
G
T = 25°C (Note 2)  
SOIC−8  
CASE 751  
STYLE 12  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
1
S
S
S
G
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
75  
mJ  
AS  
Energy − Starting T = 25°C  
J
4503N = Specific Device Code  
(V = 30 V, V = 10 V, I = 12.2 A,  
DD  
GS  
L
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
L = 1.0 mH, R = 25 W)  
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
(Note: Microdot may be in either location)  
Symbol Value Unit  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction−to−Ambient (Note 3)  
50  
75  
135  
Device  
NTMS4503NR2  
Package  
Shipping†  
SOIC−8  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using minimum recommended pad size  
(Cu area 0.412 in sq), t < 10 s.  
NTMS4503NR2G SOIC−8  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Surface−mounted on FR4 board using 1″ pad size  
(Cu area 1.127 in sq) steady state.  
3. Surface−mounted on FR4 board using minimum recommended pad size  
(Cu area 0.412 in sq), steady state.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 2  
NTMS4503N/D  
 
1234567

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NTMS4503NR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMS4503NR2 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET
FDS3580 ONSEMI

类似代替

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，7.6A，29mΩ
NTMS4937NR2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET Power MOSFET

与NTMS4503NR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMS4700NR2 ROCHESTER

获取价格

 		8600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SOP-8
NTMS4700NR2 ONSEMI

获取价格

 		8600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SOP-8
NTMS4700NR2G ROCHESTER

获取价格

 		8600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 751-07, SOP-8
NTMS4700NR2G ONSEMI

获取价格

 		8600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 751-07, SOP-8
NTMS4704N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 12.3 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4704NR2 ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 12.3 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4704NR2G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 12.3 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4705N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel, SO-8
NTMS4705NR2 ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel, SO-8
NTMS4705NR2G ONSEMI

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