是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | LEAD FREE, 751-07, SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.4 | Samacsys Description: | MOSFET 30V 13.6A N-CH 0.009OHM |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A | 最大漏极电流 (ID): | 11.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTMS4807NR2G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 | |
NTMS4801NR2G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 30 V, 12 A, N−Channel, SO−8 | |
NTMS4800NR2G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 30 V, 8 A, N−Channel, SOIC−8 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTMS4807N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 | |
NTMS4807NR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 | |
NTMS4816N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 | |
NTMS4816NR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 | |
NTMS4816NR2G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
NTMS4840N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8 | |
NTMS4840NR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8 | |
NTMS4872N | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N−Channel, SO−8 | |
NTMS4872NR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N−Channel, SO−8 | |
NTMS4873NF | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 11.5 A, N−Channel, SO−8 |