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NTMS4801NR2G

更新时间： 2024-09-15 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Power MOSFET 30 V, 12 A, N−Channel, SO−8

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NTMS4801NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.98配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：225 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMS4801NR2G 数据手册

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NTMS4801N  
Power MOSFET  
30 V, 12 A, N−Channel, SO−8  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• This is a Pb−Free Device  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
9.0 mW @ 10 V  
30 V  
12 A  
• DC−DC Converters  
• Synchronous MOSFET  
• Printers  
12.5 mW @ 4.5 V  
N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
G
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
9.9  
7.9  
1.41  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
S
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
q
D
JA  
JA  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
7.5  
6.0  
0.8  
Current R  
(Note 2)  
q
JA  
T = 70°C  
A
Steady  
State  
1
8
Source  
Source  
Source  
Gate  
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
Power Dissipation R  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
1
q
D
SO−8  
CASE 751  
STYLE 12  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
12  
9.6  
2.1  
D
Current R , t v 10 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
(Note 1)  
Top View  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
D
W
4801N = Device Code  
R
q
, t v 10 s(Note 1)  
JA  
A
= Assembly Location  
Y
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
35  
A
A
p
WW  
G
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
T
(Note: Microdot may be in either location)  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.1  
98  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
mJ  
ORDERING INFORMATION  
(T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
G
†
I = 14 A , L = 1.0 mH, R = 25 W)  
Device  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
L
pk  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
NTMS4801NR2G  
SO−8  
(Pb−Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Parameter  
Symbol Value Unit  
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t v 10 s (Note 1)  
Junction−to−Foot (Drain)  
R
R
88.5  
60.5  
23  
q
q
JA  
JA  
R
R
q
JF  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
156  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surfacemounted on FR4 board using 1 in sq pad size.  
2. Surfacemounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2009 − Rev. 2  
NTMS4801N/D  
 
12345

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NTMS4801NR2G 替代型号

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