5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTMS4873NFR2G
NTMS4873NFR2G PDF预览

NTMS4873NFR2G

更新时间： 2024-11-06 05:54:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 116K
描述
Power MOSFET 30 V, 11.5 A, N−Channel, SO−8

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTMS4873NFR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：7.1 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：225 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.31 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMS4873NFR2G 数据手册

 浏览型号NTMS4873NFR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTMS4873NFR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTMS4873NFR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTMS4873NFR2G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTMS4873NFR2G的Datasheet PDF文件第6页 
NTMS4873NF  
Power MOSFET  
30 V, 11.5 A, N−Channel, SO−8  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Includes SyncFET Schottky Diode  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Space  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
12 mW @ 10 V  
15 mW @ 4.5 V  
30 V  
11.5 A  
Applications  
• Synchronous FET for DC−DC Converters  
• Low Side Notebook Non−VCORE Converters  
N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
G
T = 25°C  
8.9  
7.2  
1.39  
D
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
S
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
q
D
JA  
JA  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
7.1  
5.7  
Current R  
(Note 2)  
q
JA  
T = 70°C  
A
Steady  
State  
1
8
Power Dissipation R  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.87  
W
A
q
D
Source  
Source  
Source  
Gate  
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
1
SO−8  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
11.5  
9.2  
D
CASE 751  
STYLE 12  
Current R , t v 10 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
(Note 1)  
Top View  
Power Dissipation  
T = 25°C  
P
2.31  
W
A
D
4873NF = Device Code  
R
, t v 10 s(Note 1)  
q
JA  
A
= Assembly Location  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
56  
A
A
p
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
°C  
J
T
150  
Source Current (Body Diode)  
I
S
3.3  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
60.5  
mJ  
AS  
ORDERING INFORMATION  
(T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 11 A , L = 1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
†
Device  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
NTMS4873NFR2G  
SO−8  
(Pb−Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Parameter  
Symbol Value Unit  
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t v 10 s (Note 1)  
Junction−to−Foot (Drain)  
R
R
89.9  
54.2  
35.6  
143  
q
q
JA  
JA  
R
R
q
JF  
JA  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
q
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surfacemounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 2 oz Cu.  
2. Surfacemounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 1  
NTMS4873NF/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

与NTMS4873NFR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMS4916N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
NTMS4916NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
NTMS4916NR2G UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTMS4917N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
NTMS4917NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 10.5 A, N?Channel, SO?8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
NTMS4920N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8
NTMS4920NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8
NTMS4935N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8
NTMS4935NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8
NTMS4937N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Power MOSFET

与NTMS4873NFR2G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证