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NRVB860MFST1G

更新时间： 2024-01-30 00:38:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
SWITCHMODE Power Rectifiers

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NRVB860MFST1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN6, 6 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：1.49Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：5
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NRVB860MFST1G 数据手册

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MBR860MFS, NRVB860MFS  
SWITCHMODE  
Power Rectifiers  
These state−of−the−art devices have the following features:  
Features  
• Low Power Loss / High Efficiency  
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After  
http://onsemi.com  
Board Mounting  
• Guardring for Stress Protection  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Low Forward Voltage Drop  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Wettable Flacks Option Available  
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
8 AMPERES  
60 VOLTS  
5,6  
1,2,3  
• These are Pb−Free Devices  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
MARKING  
DIAGRAM  
• Epoxy Meets Flammability Rating UL 94−0 @ 0.125 in.  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
A
C
C
1
B860  
AYWZZ  
A
A
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 2  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
Not Used  
• Device Meets MSL 1 Requirements  
MAXIMUM RATINGS  
B860  
A
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Y
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
V
RWM  
V
60  
R
Average Rectified Forward Current  
I
8.0  
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 165°C)  
ORDERING INFORMATION  
R
C
Peak Repetitive Forward Current,  
I
16  
FRM  
Device  
Package  
Shipping†  
1500 /  
(Rated V , Square Wave,  
R
20 kHz, T = 165°C)  
MBR860MFST1G  
SO−8 FL  
C
(Pb−Free) Tape & Reel  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
A
FSM  
MBR860MFST3G  
NRVB860MFST1G  
SO−8 FL 5000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 1500 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 5000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−55 to +175  
40  
°C  
°C  
mJ  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
NRVB860MFST3G  
Unclamped Inductive Switching  
Energy (10 mH Inductor,  
Non−repetitive)  
E
AS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
ESD Rating (Human Body Model)  
ESD Rating (Machine Model)  
3B  
M4  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NOTE: The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: dPD/dTJ < 1/RJA.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
October, 2013 − Rev. 0  
MBR860MFS/D  
1234

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NRVB860MFST1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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