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NP75P03YDG-E1-AY

更新时间： 2024-11-13 07:20:19

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP75P03YDG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	HSON	包装说明：	LEAD FREE, HSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0096 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	700 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	138 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP75P03YDG-E1-AY 数据手册

Preliminary Data Sheet

NP75P03YDG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description

R07DS0020EJ0200

Rev.2.00

Mar 16, 2011

The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

•

Low on-state resistance

⎯ R_DS(on)= 6.2 mΩ MAX. (V_GS= −10 V, I_D= −37.5 A)

Low C_iss: C_iss= 3200 pF TYP. (V_DS= −25 V, V_GS= 0 V)

Logic level drive type

Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

Small size package 8-pin HSON

•

Ordering Information

Part No.

NP75P03YDG -E1-AY ^∗

NP75P03YDG -E2-AY ^∗

LEAD PLATING

PACKING

Tape 2500 p/reel

Package

Pure Sn (Tin)

8-pin HSON, Taping (E1 type)

8-pin HSON, Taping (E2 type)

Note: ^∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

−30

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T_C= 25°C)

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

m20

m75

Drain Current (pulse) ^∗

m225

138

Total Power Dissipation (T_C= 25°C)

Total Power Dissipation (T_A= 25°C) ^∗

Channel Temperature

°C

P_T2

1.0

T_ch

175

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^∗

Single Avalanche Energy ^∗

T_stg

−55 to +175

I_AS

<R>

E_AS

Thermal Resistance

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance ^∗

R_th(ch-C)

R_th(ch-A)

1.09

150

°C/W

Notes: ^∗1. T_C= 25°C, PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

^∗2. Mounted on glass epoxy substrate of 40 mm x 40 mm x 0.8 mmt

*3. Starting T_ch= 25°C, V_DD= −15 V, R_G= 25 Ω, L = 100 μH, V_GS= −20 → 0 V

<R>

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

Mar 16, 2011

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