Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP80N03CDE-S12-AZ

NP80N03CDE-S12-AZ

更新时间： 2024-11-13 03:46:07

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲 ISM频段局域网
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N03CDE-S12-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP80N03CDE-S12-AZ 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N03EDE, NP80N03KDE

NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP80N03EDE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP80N03EDE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP80N03KDE-E1-AY ^Note1

NP80N03KDE-E2-AY ^Note1

NP80N03CDE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP80N03DDE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP80N03MDE-S18-AY ^Note1

NP80N03NDE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low on-state Resistance

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

R^DS(on)2= 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

R^DS(on)3= 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 2600 pF TYP.

(TO-263)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D15310EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

2001, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:"

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