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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NP75P04YLG-E2-AY
NP75P04YLG-E2-AY PDF预览

NP75P04YLG-E2-AY

更新时间： 2024-09-25 07:20:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 237K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP75P04YLG-E2-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：HSON包装说明：LEAD FREE, HSON-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：450 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：138 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NP75P04YLG-E2-AY 数据手册

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Preliminary Data Sheet  
R07DS0183EJ0200  
Rev.2.00  
NP75P04YLG  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Description  
Mar 16, 2011  
The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.  
Features  
•
Low on-state resistance  
⎯ RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −37.5 A)  
⎯ RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = −5 V, ID = −37.5 A)  
Logic level drive type  
Gate to Source ESD protection diode built in  
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified  
•
•
•
Ordering Information  
Part No.  
NP75P04YLG -E1-AY ∗  
NP75P04YLG -E2-AY ∗  
LEAD PLATING  
PACKING  
Tape 2500 p/reel  
Package  
1
Pure Sn (Tin)  
8-pin HSON, Taping (E1 type)  
8-pin HSON, Taping (E2 type)  
1
Note: ∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
Ratings  
−40  
Unit  
V
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
m20  
V
m75  
A
1
Drain Current (pulse) ∗  
m225  
138  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C) ∗  
Channel Temperature  
W
W
°C  
°C  
A
2
PT2  
1.0  
Tch  
175  
Storage Temperature  
Single Avalanche Current ∗  
Single Avalanche Energy ∗  
Tstg  
−55 to +175  
35  
3
IAS  
<R>  
<R>  
3
EAS  
123  
mJ  
Thermal Resistance  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel to Ambient Thermal Resistance ∗  
Rth(ch-C)  
Rth(ch-A)  
1.09  
150  
°C/W  
°C/W  
2
Notes: ∗1. TC = 25°C, PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%  
∗2. Mounted on glass epoxy substrate of 40 mm x 40 mm x 0.8 mmt  
*3. Starting Tch = 25°C, VDD = −20 V, RG = 25 Ω, L = 100 μH, VGS = −20 → 0 V  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
R07DS0183EJ0200 Rev.2.00  
Mar 16, 2011  
Page 1 of 6  
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