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NP80N03KLE-E2-AY

更新时间： 2024-11-13 02:59:39

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管场效应晶体管脉冲
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10页	217K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N03KLE-E2-AY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

NP80N03KLE-E2-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N03ELE, NP80N03KLE

NP80N03CLE, NP80N03DLE, NP80N03MLE, NP80N03NLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP80N03ELE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP80N03ELE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP80N03KLE-E1-AY ^Note1

NP80N03KLE-E2-AY ^Note1

NP80N03CLE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP80N03DLE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP80N03MLE-S18-AY ^Note1

NP80N03NLE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low on-state Resistance

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

R^DS(on)3= 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 2600 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14032EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

1999, 2000, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:"

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP80N03MDE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N03MDE-S18-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N03MLE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N03MLE-S18-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP80N03NDE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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NP80N03NLE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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