Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP80N03ELE-E1-AY

NP80N03ELE-E1-AY

更新时间： 2024-11-13 02:59:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	217K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N03ELE-E1-AY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP80N03ELE-E1-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N03ELE, NP80N03KLE

NP80N03CLE, NP80N03DLE, NP80N03MLE, NP80N03NLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP80N03ELE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP80N03ELE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP80N03KLE-E1-AY ^Note1

NP80N03KLE-E2-AY ^Note1

NP80N03CLE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP80N03DLE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP80N03MLE-S18-AY ^Note1

NP80N03NLE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low on-state Resistance

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

R^DS(on)3= 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 2600 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14032EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

1999, 2000, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:"

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