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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP80N03ELE-E2-AY
NP80N03ELE-E2-AY PDF预览

NP80N03ELE-E2-AY

更新时间： 2024-09-25 02:59:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 217K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N03ELE-E2-AY 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.64
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NP80N03ELE-E2-AY 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
NP80N03ELE, NP80N03KLE  
NP80N03CLE, NP80N03DLE, NP80N03MLE, NP80N03NLE  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
DESCRIPTION  
These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.  
<R>  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
LEAD PLATING  
Pure Sn (Tin)  
PACKING  
PACKAGE  
NP80N03ELE-E1-AY Note1, 2  
NP80N03ELE-E2-AY Note1, 2  
NP80N03KLE-E1-AY Note1  
NP80N03KLE-E2-AY Note1  
NP80N03CLE-S12-AZ Note1, 2  
NP80N03DLE-S12-AY Note1, 2  
NP80N03MLE-S18-AY Note1  
NP80N03NLE-S18-AY Note1  
TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g  
Tape 800 p/reel  
TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g  
Sn-Ag-Cu  
TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g  
TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g  
TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g  
TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g  
Tube 50 p/tube  
Pure Sn (Tin)  
Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)  
2. Not for new design  
(TO-220)  
FEATURES  
• Channel Temperature 175 degree rated  
• Super Low on-state Resistance  
RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)  
RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)  
RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)  
• Low input capacitance  
(TO-262)  
Ciss = 2600 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
(TO-263)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D14032EJ5V0DS00 (5th edition)  
Date Published October 2007 NS  
Printed in Japan  
1999, 2000, 2007  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:"  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NP80N03KDE NEC

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