NP80N03DLE

更新时间： 2024-09-25 03:46:07

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N03DLE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP80N03DLE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N03CLE,NP80N03DLE,NP80N03ELE NP80N03KLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching

applications.

PART NUMBER

NP80N03CLE

NP80N03DLE

NP80N03ELE

NP80N03KLE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

FEATURES

TO-263 (MP-25ZJ)

TO-263 (MP-25ZK)

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low On-state Resistance

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 40 A)

R^DS(on)2= 9.0 mΩ MAX. (V^GS= 5 V, I^D= 40 A)

• Low C^iss: C^iss= 2600 pF TYP.

★

(TO-220AB)

• Built-in Gate Protection Diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±80

Drain Current (Pulse) ^Note2

±320

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

1.8

°C

(TO-262)

P^T

120

Tch

175

Storage Temperature

Tstg

–55 to +175

50 / 40 / 9

2.5 / 160 / 400

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

(TO-263)

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 → 0 V (see Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

1.25

83.3

°C/W

Rth(ch-A)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

Date Published December 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14032EJ4V0DS00 (4th edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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