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NGB8202NT4G

更新时间： 2024-02-20 12:49:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 145K
描述
Ignition IGBT

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NGB8202NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：8
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：440 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）：14000 ns门极发射器阈值电压最大值：2.1 V
门极-发射极最大电压：15 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：8000 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：18500 ns标称接通时间 (ton)：6500 ns
Base Number Matches：1

NGB8202NT4G 数据手册

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NGB8202N  
UNCLAMPED COLLECTOR−TO−EMITTER AVALANCHE CHARACTERISTICS (−55° ≤ T ≤ 175°C)  
J
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Single Pulse Collector−to−Emitter Avalanche Energy  
E
mJ  
AS  
V
V
V
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 16.7 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 25°C  
250  
200  
180  
CC  
CC  
CC  
GE  
GE  
L
L
L
G
G
G
J
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 14.9 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 150°C  
J
J
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 14.1 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 175°C  
GE  
Reverse Avalanche Energy  
= 100 V, V = 20 V, Pk I = 25.8 A, L = 6.0 mH, Starting T = 25°C  
E
mJ  
AS(R)  
V
2000  
CC  
GE  
L
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.0  
62.5  
275  
°C/W  
°C/W  
°C  
q
JC  
JA  
L
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
q
Maximum Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 5 seconds (Note 2)  
T
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended pad size.  
2. For further details, see Soldering and Mounting Techniques Reference Manual: SOLDERRM/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Clamp Voltage  
Symbol  
Test Conditions  
Temperature  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BV  
I
= 2.0 mA  
= 10 mA  
= 0 V,  
T = −40°C to 175°C  
370  
390  
395  
415  
0.1  
420  
440  
1.0  
V
CES  
C
J
I
T = −40°C to 175°C  
C
J
Zero Gate Voltage Collector Current  
I
V
V
T = 25°C  
J
mA  
mA  
CES  
GE  
= 15 V  
CE  
T = 25°C  
J
0.5  
1.0  
0.4  
30  
1.5  
25  
10  
100*  
5.0  
39  
V
= 200 V,  
GE  
CE  
T = 175°C  
J
V
= 0 V  
T = −40°C  
J
0.8  
35  
Reverse Collector−Emitter Clamp  
Voltage  
B
T = 25°C  
J
V
VCES(R)  
T = 175°C  
J
35  
39  
45*  
37  
I
= −75 mA  
= −24 V  
C
T = −40°C  
J
30  
33  
Reverse Collector−Emitter Leakage  
Current  
I
T = 25°C  
J
0.05  
1.0  
0.005  
12  
0.1  
5.0  
0.01  
12.5  
300  
70  
0.5  
10*  
0.1  
14  
mA  
CES(R)  
T = 175°C  
J
V
CE  
T = −40°C  
J
Gate−Emitter Clamp Voltage  
Gate−Emitter Leakage Current  
Gate Resistor (Optional)  
BV  
I
= "5.0 mA  
T = −40°C to 175°C  
V
mA  
W
GES  
G
J
I
V
= "5.0 V  
T = −40°C to 175°C  
200  
350*  
GES  
GE  
J
R
G
T = −40°C to 175°C  
J
Gate−Emitter Resistor  
R
GE  
T = −40°C to 175°C 14.25  
J
16  
25  
kW  
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
V
T = 25°C  
1.5  
0.7  
1.7  
4.0  
1.8  
1.0  
2.0  
4.6  
2.1  
1.3  
V
GE(th)  
J
I
= 1.0 mA,  
C
V
T = 175°C  
J
= V  
GE  
CE  
T = −40°C  
J
2.3*  
5.2  
Threshold Temperature Coefficient  
(Negative)  
mV/°C  
*Maximum Value of Characteristic across Temperature Range.  
3. Pulse Test: Pulse Width v 300 mS, Duty Cycle v 2%.  
http://onsemi.com  
2
1234567

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