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NESG250134-T1FB

更新时间: 2024-01-10 07:38:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 154K
描述
UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG250134-T1FB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:4.5 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM标称过渡频率 (fT):10000 MHz
Base Number Matches:1

NESG250134-T1FB 数据手册

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NESG250134  
COMPONENT LIST  
Value  
Maker  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Murata  
Toko  
C1  
47 pF  
12 pF  
7 pF  
C2  
C3, C4  
C5  
3 pF  
C6  
6 pF  
C7  
0.5 pF  
5 pF  
C8  
C9  
51 pF  
100 nF  
1 µF  
C10, C12  
C11  
L1  
100 nH  
15 nH  
30 Ω  
L2  
Toko  
R1  
SSM  
DISTORTION EVALUATION CIRCUIT TYPICAL CHARACTERISTICS  
3RD ORDER  
INTERMODULATION DISTORTION  
vs. 1 TONE OUTPUT POWER  
80  
V
CE = 3.6 V, f = 460 MHz,  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
IC (set) = 30 mA, offset = 1 MHz  
–5  
0
5
10  
15  
20  
25  
1 tone Output Power Pout (dBm)  
Remark The graph indicates nominal characteristics.  
11  
Data Sheet PU10422EJ03V0DS  

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