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NESG250134-T1FB-A

更新时间： 2024-02-19 21:23:54

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

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DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG250134

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (800 mW)

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

FEATURES

• This product is suitable for medium output power (800 mW) amplification

P^O= 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 15 dBm, f = 460 MHz

P^O= 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 20 dBm, f = 900 MHz

•

MSG (Maximum Stable Gain) = 23 dB TYP., @ V^CE= 3.6 V, Ic = 100 mA, f = 460 MHz

Using UHS2-HV process (SiGe technology), V^CBO(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 20 V

3-pin power minimold (34 package)

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

NESG250134

25 pcs (Non reel)

1 kpcs/reel

• 12 mm wide embossed taping

• Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape

NESG250134-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

Unit

9.2

2.8

500

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

1.5

150

°C

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 34.2 cm²× 0.8 mm (t) glass epoxy PWB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10422EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published July 2004 CP(K)

Printed in Japan

The mark shows major revised points.



NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2003, 2004

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG250134-T1-FB-AZ	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
NESG260234	NEC	3-PIN POWER MINIMOLD	获取价格
NESG260234	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG260234-A	RENESAS	RF & Microwave device	获取价格
NESG260234-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
NESG260234-AZ-FB	NEC	暂无描述	获取价格

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