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NESG250134-T1FB-A

更新时间: 2024-01-07 09:41:49
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.14
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:4.5 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e6元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):10000 MHzBase Number Matches:1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

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NESG250134  
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0406  

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