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NESG250134-T1FB-A

更新时间： 2024-02-03 19:28:24

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

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NESG250134

COMPONENT LIST

Value

Maker

Murata

Toko

30 pF

6 pF

C3, C4

7 pF

3 pF

0.5 pF

5 pF

10 pF

100 nF

100 nH

3 nH

C9, C10

Toko

30 Ω

SSM

PA EVALUATION CIRCUIT TYPICAL CHARACTERISTICS

OUTPUT POWER, POWER GAIN,

COLLECTOR CURRENT, COLLECTOR

EFFICIENCY vs. INPUT POWER

600

500

400

300

200

100

CE = 3.6 V, f = 460 MHz

C (set) = 40 mA

out

–10

–5

Input Power Pⁱⁿ(dBm)

Remark The graph indicates nominal characteristics.

Data Sheet PU10422EJ02V0DS

1...6 7 8910 11 12...14

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与NESG250134-T1FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NESG250134-T1-FB-AZ	RENESAS	获取价格	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3
NESG260234	NEC	获取价格	3-PIN POWER MINIMOLD
NESG260234	CEL	获取价格	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
NESG260234-A	RENESAS	获取价格	RF & Microwave device
NESG260234-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
NESG260234-AZ-FB	NEC	获取价格	暂无描述
NESG260234-T1	NEC	获取价格	3-PIN POWER MINIMOLD
NESG260234-T1	CEL	获取价格	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
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