5秒后页面跳转

Datasheet > NESG250134-T1FB-A

NESG250134-T1FB-A PDF预览

NESG250134-T1FB-A

更新时间： 2024-02-17 04:26:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号NESG250134-T1FB-A的Datasheet PDF文件第7页

NESG250134

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

Parameter

DC Characteristics

Symbol

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 5 V, IE = 0 mA

−

−

−

−

1

1

µA

µA

−

VEB = 0.5 V, IC = 0 mA

VCE = 3 V, IC = 100 mA

Note 1

hFE

80

120

180

RF Characteristics

Gain Bandwidth Product

Insertion Power Gain

fT

VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

−

−

10

19

23

19

−

−

−

−

GHz

dB

2

S21e

Maximum Satble Gain

Linner gain (1)

MSG^{Note 2}VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

−

dB

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

G^L

G^L

Po

Po

ηc

16

dB

Linner gain (2)

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

−

27

−

16

29

29

60

60

−

−

−

−

−

dB

dBm

dBm

%

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

Output Power (1)

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

Output Power (2)

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

Collector Efficiency (1)

Collector Efficiency (2)

−

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

ηc

−

%

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

S²¹

S¹²

2. MSG =

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

SN

Marking

hFE Value

80 to 180

3

Data Sheet PU10422EJ02V0DS

1 234 5 6 7...14

下载PDF

与NESG250134-T1FB-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG250134-T1-FB-AZ	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
NESG260234	NEC	3-PIN POWER MINIMOLD	获取价格
NESG260234	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG260234-A	RENESAS	RF & Microwave device	获取价格
NESG260234-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
NESG260234-AZ-FB	NEC	暂无描述	获取价格

与NESG250134-T1FB-A相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证