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NESG250134-T1FB-A

更新时间: 2024-02-14 21:35:20
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.14
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:4.5 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e6元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):10000 MHzBase Number Matches:1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

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NESG250134  
THERMAL RESISTANCE (TA = +25°C)  
Parameter  
Symbol  
Rthj-a  
Ratings  
80  
Unit  
Termal Resistance from Junction to  
AmbientNote  
°C/W  
Note Mounted on 34.2 cm2 × 0.8 mm (t) glass epoxy PWB  
RECOMMENDED OPERATING RANGE (TA = +25°C)  
Parameter  
Collector to Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCE  
IC  
MIN.  
TYP.  
3.6  
MAX.  
4.5  
Unit  
V
400  
12  
500  
17  
mA  
dBm  
Input PowerNote  
Pin  
Note Input power under conditions of VCE 4.5 V, f = 460 MHz  
2
Data Sheet PU10422EJ02V0DS  

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NESG250134-T1-FB-AZ RENESAS UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3

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