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NESG250134-T1FB-A

更新时间： 2024-02-12 02:27:14

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	123K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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NESG250134-T1FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG250134-T1FB-A 数据手册

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NESG250134

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise specified)

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

2.0

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

f = 1 MHz

Mounted on Glass epoxy PWB

(34.2 cm²× 0.8 mm (t) )

1.6

1.5

1.2

0.8

Nature Neglect

0.4

100

125

150

Ambient Temperature TA (˚C)

Collector to Base Voltage VCB (V)

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

1 000

100

1 000

100

V^CE= 3 V

V^CE= 4 V

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

Base to Emitter Voltage VBE (V)

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

500

400

300

200

100

10 mA

9 mA

8 mA

7 mA

6 mA

5 mA

4 mA

3 mA

2 mA

IB = 1 mA

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PU10422EJ02V0DS

1 2 345 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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