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NESG250134-T1

更新时间： 2024-01-21 09:32:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 154K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN

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NESG250134-T1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：9.2 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：10000 MHz
Base Number Matches：1

NESG250134-T1 数据手册

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NESG250134  
DC CURRENT GAIN vs.  
COLLECTOR CURRENT  
DC CURRENT GAIN vs.  
COLLECTOR CURRENT  
1 000  
100  
10  
1 000  
100  
10  
V
CE = 3 V  
V
CE = 4 V  
10  
100  
1 000  
1 000  
1 000  
10  
100  
1 000  
Collector Current I  
C
(mA)  
Collector Current I (mA)  
C
GAIN BANDWIDTH PRODUCT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
GAIN BANDWIDTH PRODUCT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
20  
16  
12  
20  
16  
12  
V
CE = 3 V  
V
CE = 3.6 V  
f = 460 MHz  
f = 460 MHz  
8
4
0
8
4
0
10  
100  
Collector Current I  
10  
100  
Collector Current I (mA)  
1 000  
C
(mA)  
C
GAIN BANDWIDTH PRODUCT  
vs. COLLECTOR CURRENT  
INSERTION POWER GAIN,  
MAG, MSG vs. FREQUENCY  
20  
16  
12  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
V
CE = 3 V  
V
CE = 4 V  
I = 100 mA  
C
f = 460 MHz  
MSG  
MAG  
8
4
0
2
|S21e  
|
0
10  
100  
Collector Current I  
0.1  
1
10  
C
(mA)  
Frequency f (GHz)  
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
5
Data Sheet PU10422EJ03V0DS  
12345678...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NESG250134-T1-AZ CEL NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIM

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