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NESG250134-T1 PDF预览

NESG250134-T1

更新时间： 2024-02-01 19:35:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	154K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN

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技术参数
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NESG250134-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	9.2 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

NESG250134-T1 数据手册

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NESG250134

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

Parameter

DC Characteristics

Symbol

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 5 V, IE = 0 mA

−

−

−

−

1

1

µA

µA

−

VEB = 0.5 V, IC = 0 mA

VCE = 3 V, IC = 100 mA

Note 1

hFE

80

120

180

RF Characteristics

Gain Bandwidth Product

Insertion Power Gain

fT

VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

−

−

10

19

23

19

−

−

−

−

GHz

dB

S21e²VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

Maximum Satble Gain

Linner gain (1)

MSG^{Note 2}VCE = 3.6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

−

dB

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

G^L

16

dB

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

Linner gain (2)

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

G^L

−

27

−

16

29

29

60

60

−

−

−

−

−

dB

dBm

dBm

%

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 0 dBm

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

Po

Output Power (1)

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

Po

Output Power (2)

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

Collector Efficiency (1)

Collector Efficiency (2)

ηc

−

f = 460 MHz, Pⁱⁿ= 15 dBm

V^CE= 3.6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),

ηc

−

%

f = 900 MHz, Pⁱⁿ= 20 dBm

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

S²¹

S¹²

2. MSG =

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

SN

Marking

hFE Value

80 to 180

S-PARAMETERS

S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form

(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.

Click here to download S-parameters.

[RF and Microwave] → [Device Parameters]

URL http://www.ncsd.necel.com/

3

Data Sheet PU10422EJ03V0DS

1 234 5 6 7...14

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与NESG250134-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG250134-T1-AZ	CEL	NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIM	获取价格
NESG250134-T1-AZ	RENESAS	NESG250134-T1-AZ	获取价格
NESG250134-T1-AZ	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic	获取价格
NESG250134-T1-AZFB	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	获取价格
NESG250134-T1-AZ-FB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic	获取价格
NESG250134-T1FB	NEC	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格

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