NE68819

更新时间： 2024-02-17 09:19:05

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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NONLINEAR MODEL

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NE68819 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-90
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最高频带：	S BAND
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9500 MHz
Base Number Matches：	1

NE68819 数据手册

NE68819

NONLINEAR MODEL

SCHEMATIC

CCBPKG

0.08 pF

CCB

LCX

0.24 pF

Collector

LBX

0.5 nH

CCE

Base

0.19 nH 1.12 nH

0.27 pF

CBEPKG

CCEPKG

0.3 pF

0.6 nH

LEX

0.19 nH

Emitter

BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS ⁽¹⁾

UNITS

Parameter

time

Units

seconds

farads

henries

ohms

Parameters

3.8e-16

135.7

MJC

XCJC

CJS

VJS

MJS

0.48

0.56

capacitance

inductance

resistance

voltage

VAF

IKF

ISE

0.75

volts

0.6

current

amps

3.8e-15

1.49

0.75

11.0e-12

0.36

0.65

0.61

12.3

XTF

VTF

ITF

ADDITIONAL PARAMETERS

1.1

Parameters

68819

VAR

IKR

ISC

3.5

CCB

0.24e-12

0.27e-12

1.12e-9

0.6e-9

0.06

PTF

CCE

3.5e-16

1.62

32e-12

1.11

0.4

XTB

XTI

CCBPKG

CCEPKG

CBEPKG

LBX

0.08e-12

0.3e-12

0.19e-9

0.5e-9

6.14

RBM

IRB

3.5

1.5e-14

1.22

0.001

4.2

LCX

CJE

VJE

MJE

CJC

VJC

0.796e-12

0.71

LEX

0.19e-9

0.38

MODEL RANGE

Frequency: 0.1 to 3 GHz

0.549e-12

0.65

Bias:

Date:

VCE = 1 V to 3 V, IC = 1 mA to 10 mA

3/20/97

(1) Gummel-Poon Model

California Eastern Laboratories

EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR

RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES • Headquarters • 4590 Patrick Henry Drive • Santa Clara, CA 95054-1817 • (408) 988-3500 • Telex 34-6393 • FAX (408) 988-0279

24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) • Internet: http://WWW.CEL.COM

PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -10/98

DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

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NE68819 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFM520	NXP	功能相似	Dual NPN wideband transistor

与NE68819相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE68819-T1	NEC	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68819-T1-A	CEL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68819-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68830	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 3
NE68830-T1	NEC	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68830-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68830-T1-A	CEL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68830-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68833	NEC	获取价格	S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, 33, 3 PIN
NE68833-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN

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