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BFM520

更新时间: 2024-09-28 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 100K
描述
Dual NPN wideband transistor

BFM520 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-88
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.79其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.07 A集电极-发射极最大电压:8 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9000 MHz
Base Number Matches:1

BFM520 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFM520  
Dual NPN wideband transistor  
1996 Oct 08  
Product specification  
Supersedes data of 1995 Sep 04  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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