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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 18 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE41612 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| NE41612-1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| NE41615 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-33 |
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| NE41620 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | STX-M3 |
|
| NE41632-1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| NE41632-2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| NE41635 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-173 |
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| NE420100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | CHIP |
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| NE420157B20 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600MA I(C) | FO-93 |
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| NE4201B20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600MA I(C) | RFMOD |
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