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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A | FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE3505M04 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3505M04-T2 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | RENESAS | NE3508M04-A |
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| NE3508M04-T2 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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