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NE3503M04-T2B-A

更新时间： 2024-02-09 21:25:48
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 199K
描述
NE3503M04-T2B-A

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NE3503M04-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.29
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE3503M04-T2B-A 数据手册

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NE3503M04  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise specified)  
TOTAL POWER DISSIPATION  
vs. AMBIENT TEMPERATURE  
DRAIN CURRENT vs.  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
250  
200  
100  
80  
60  
40  
20  
150  
125  
100  
V
GS = 0 V  
–0.2 V  
50  
0
–0.4 V  
–0.6 V  
50  
100 125 150  
200  
(°C)  
250  
0
1.0  
2.0  
Ambient Temperature T  
A
Drain to Source Voltage VDS (V)  
DRAIN CURRENT vs.  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
80  
60  
V
DS = 2 V  
40  
20  
0
–2.0  
–1.0  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
0
MINIMUM NOISE FIGURE,  
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT  
MINIMUM NOISE FIGURE,  
ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
16  
14  
12  
10  
8
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
25  
20  
15  
10  
f = 12 GHz  
V
DS = 2 V  
V
DS = 2 V  
ID = 10 mA  
G
a
G
a
6
NFmin  
4
5
0
NFmin  
0.2  
0.0  
2
0
0.2  
0.0  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
Drain Current I  
D
(mA)  
Frequency f (GHz)  
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
3
Data Sheet PG10456EJ03V0DS  
12345678...11

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